Селективные поверхности солнечных установок - Окисел вольфрама

Селективные поверхности солнечных установок из окисла вольфрама изготовляли [251] методом высокочастотного реактивного распыления. Пленки наносили на подложку из полированного никеля или из стали с подслоем никеля. Процесс распыления продолжался в течение 8 мин в атмосфере, содержащей 97% аргона и 3% кислорода, при давлении 1,07 Н/м2. Температуру подложки изменяли до 300°С. Формировался окисел WO3 нестехиометрического состава с избытком вольфрама.

Рис. 5.3.23. Спектральная отражательная способность окисла вольфрама на полированном никеле, полученного реактивным высокочастотным распылением в течение 8 мин в среде 97% Аr и 3% кислорода при давлении 1,07 Н/м2 (1), и того же окисла с просветляющим слоем Аl2О3 (2) [251].
На рис. 5.3.23 показана спектральная отражательная способность покрытия из окисла вольфрама, изготовленного методом высокочастотного распыления, и того же покрытия с нанесенной поверх него пленкой Al2O3. С помощью внешнего просветляющего покрытия можно уменьшить высокую отражательную способность WO3 относительно солнечного излучения. Покрытия имели однородную поверхность. В работе [ 254] сообщается о нанесении таких покрытий на большие площади методом высокочастотного распыления. У покрытий из WO3 и таких же покрытий с внешним слоем А12О3, нанесенных на стальные образцы с подслоем никеля, получены значения поглощательной способности относительно солнечного излучения 0,83 и 0,93 и степени черноты 0,07 и 0,09 соответственно. Было отмечено, что селективные поверхности из окисла вольфрама нестабильны при повышенных температурах [251]. Изменения наступали в результате кратковременного нагрева до 400°С. Однако после нанесения поверх окисла вольфрама пленки А12O3 покрытия становились вполне стабильными, и при термообработке в течение 2 ч при температуре 400°С поглощательная способность изменялась от 0, 93 до 0,95, а степень черноты — от 0,09 до 0,12.