Хотя природа поверхностных уровней и встроенного в поверхность заряда у границы раздела Si-SiO2 не совсем ясна, известно, что их присутствие оказывает сильное влияние на характеристики солнечных элементов из окисных полупроводников [ 100]. Поверхностные уровни являются накопителями заряда и рекомбинационно-генерационными центрами и обеспечивают дополнительные туннельные переходы. Встроенный в поверхность заряд в изоляторе оказывает влияние на величину работы выхода структуры окисный полупроводник - изолятор. Расчеты, проведенные для толщины изолирующего слоя 14 X и менее, показали, что, чем меньше число поверхностных уровней и величина встроенного в поверхность заряда, тем выше напряжение холостого хода элемента [ 100]. Это связано с тем, что при наличии поверхностных уровней и встроенного в поверхность заряда восстанавливалась высота барьера на границе раздела. Предполагается, что поверхностные уровни и встроенный в поверхность заряд возникают в условиях изготовления элементов, и эта проблема требует дальнейшего изучения.
Таблица 3.8.2.
Характеристики солнечных элементов структуры прозрачный
