Гетеропереходы n-IТО-p-CdTe
Фотоэлектрические свойства элементов с гетеропереходом n-ITО — р-CdTe, изготовленных путем нанесения методом пульверизации пленки ITO на монокристаллы р-CdTe, были изучены автором работы [ 93]. Были получены значения Voc=0,82 В, J=145 мА/см2, коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики 0,55 и эффективности преобразования солнечной энергии 8%.
Солнечные элементы n-ITO-р-InР
Изготовлены высокоэффективные солнечные элементы n-ITO — р-ΙnΡ-структуры с аморфными и кристаллическими пленками ITO [121, 122]. Ввиду сильного несоответствия [124] кристаллической структуры, параметров решетки и коэффициентов теплового расширения ΙΤΟ и InP [150] не предполагалось, что такие элементы могут иметь хорошие характеристики, поэтому достигнутые высокие значения эффективности оказались неожиданными. Правдоподобное объяснение полученных результатов было предложено в работе [124] на основе SIS-модели. Высокая эффективность элемента, равная 14,4%, объясняется возможностью появления тонкого промежуточного слоя Р2О5. Показано [ 124], что при наличии тонкого изолирующего слоя эффективность такой системы может составить 25,6%. Характеристики элементов с аморфными пленками ITO лучше, чем элементов с кристаллическими пленками, поскольку при более низких температурах подложки, характерных для формирования аморфных пленок ITO, создаются более благоприятные условия для образования изолирующего слоя Р2О5. На основании оже-спектроскопического анализа было высказано предположение [151] о наличии границы раздела In2O3 — InP, связи In — О со стороны пленки ITO, связи In-Р со стороны InP и связи Р-O в переходной области. Не исключена также возможность, что переходная область содержит тройное, соединение [ 124]. Для доказательства присутствия слоя Р2О5 необходимы дальнейшие исследования.
