Солнечные элементы SIS-структуры могут обеспечить высокую эффективность преобразования энергии. Поскольку технологический цикл их изготовления включает низкотемпературные процессы, открывается возможность использования в дальнейшем для их производства поликристаллического кремния. Изготовление интегральных модулей существенно снизит стоимость кремниевых солнечных элементов. Дальнейшие исследования должны быть направлены на достижение эффективности преобразования энергии с помощью солнечных элементов структуры окисный полупроводник - изолятор — поликристаллический кремний, равной 10%.
Продолжение таблицы 3.8.2.
Необходимо разрабатывать методы выращивания сверхтонких окисных слоев стехиометрического состава, что позволит получить высокие значения эффективности преобразования энергии. Прямое доказательство существования слоя SiОх было недавно получено методом оже-спектроскопии [91а, 156]. В работах [91а, 156) сообщается, что при тачном регулировании толщины и стехиометрического состава промежуточного слоя удалось получить значения Jsc=0,36 мА/см2, Voc=0,5 В, коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики 0,74 и эффективности преобразования энергии 13,2%. Стоимость крупных наземных преобразователей солнечной энергии из таких элементов будет определяться с стоимостью индия. Этот вопрос был рассмотрен [91а], и, по предварительным оценкам, проблема снабжения индием не будет ограничивать широкомасштабного наземного применения солнечных элементов IТО - Si-структуры.
