Вентильные разрядники высокого напряжения - Стабилизация нелинейных сопротивлений

Вольт-амперные характеристики отдельных нестабилизованных контактов зерен весьма различны [36]. В области малых токов напряжения на контактах отличаются на 3 порядка. В области больших токов разница меньше, но и здесь она достигает порядка.
Очевидно, что в диске НС различие в величине сопротивления отдельных контактов достаточно велико.
При воздействии больших импульсных токов стабилизации Iст происходит пробой межконтактных прослоек и пленок SiO2 на поверхности зерен карбида кремния [51, 154, 198, 206]. Количество пробоев определяется величиной Iст и числом воздействий. При этом происходит выравнивание сопротивлений в цепочке зерен, расположенных по высоте диска, и увеличение числа параллельных цепочек, несущих основную токовую нагрузку. Очевидно, что в диске НС всегда будут присутствовать группы цепочек, нагруженные менее и более, чем основная группа цепочек зерен (количество последних тесно связано с технологией изготовления НС). Более равномерное распределение тока по цепочкам зерен приводит к увеличению пропускной способности нелинейных сопротивлений и повышению электропроводности диска НС в целом.
Более полное исследование процесса стабилизации, проведенное методом, развитым в [62], показало, что воздействие импульсов тока больших амплитуд не только увеличивает число параллельных цепочек зерен, несущих основную токовую нагрузку (на что указывает рост емкости НС), но и вызывает, кроме того, падение удельных сопротивлений как запорного слоя карбида кремния, так и пленки связующего.
Уменьшение удельных сопротивлений указывает на пробой некоторой части пленок SiO2, имеющихся на SiC, и некоторых участков в пленке связующего; этим же обусловлено уменьшение нелинейности НС после стабилизации.
Необходимо указать еще, что нагрузка большими импульсами тока влечет за собою появление асимметричной проводимости, которая до некоторой степени устраняется при воздействии импульсов положительной и отрицательной полярности. Связана ли асимметричная проводимость с процессами в карбиде кремния или только с процессами в связующем, до сего времени не выяснено.