ТИПЫ И ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ НИЗКОВОЛЬТНОЙ АППАРАТУРЫ УПРАВЛЕНИЯ (НАУ) И КОМПЛЕКТНЫХ УСТРОЙСТВ УПРАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРИВОДАМИ (НКУ)
Исполнение пускорегулирующих аппаратов и устройств (НАУ и НКУ), так же как и самих электрических машин, должно соответствовать условиям окружающей среды и может быть: открытым, защищенным, каплезащищенным, брызгоэащищенным, закрытым, обдуваемым, продуваемым и взрывозащищенным (см. гл. 1). Пускорегулирующие аппараты, кроме того, могут иметь исполнение пыленепроницаемое, при котором аппараты имеют оболочку, уплотненную таким образом, что она не допускает проникновения внутрь аппарата тонкой пыли, и маслонаполненное, при котором все нормально искрящие части аппарата погружены в масло таким образом, что исключается возможность соприкосновения этих частей с окружающим воздухом, а неискрящие части заключены в закрытую или пыленепроницаемую оболочку.
Как уже указывалось выше, в настоящее время ведутся работы по дальнейшему совершенствованию НАУ и НКУ в направлении развития единых серий комплектных устройств, повышения надежности и износостойкости автоматических выключателей, контакторов, реле управления, аппаратов ручного управления, разработки новой аппаратуры на герметизированных магнитоуправляемых контактах (герконах), бесконтактной аппаратуры.
С 70-х годов в системах автоматизированного электропривода началось широкое применение полупроводниковой автоматики и электронной и микроэлектронной техники.
Еще в 50-х годах появились мощные полупроводниковые приборы, а их стремительное развитие в 60-х годах привело к качественным изменениям в преобразовательной технике. Затем наступил период в основном количественного развития. Со второй половины 80-х годов начинается новый качественный скачок в развитии силовой электроники в связи с новейшими достижениями в области изготовления полупроводникового кремния, технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов и проведения новых исследований в области физических принципов работы этих приборов.
Новым направлением в сильноточной электронике является создание полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия и карбида кремния. В середине 80-х годов в нашей стране разработаны диоды на ток 200 А, напряжение 1000 В с временем восстановления 0,1 мкс, с рабочей температурой 300 °С. Созданы макетные образцы тиристоров на ток 200 А с напряжением переключения 600 В, на рабочее напряжение 450 В с временем выключения 1 мкс и макетные образцы транзисторов на ток 3 А, напряжение 500 В при рабочей температуре 340 °С. Еще большие перспективы для повышения рабочей температуры и быстродействия открывает применение карбида кремния. Уже созданы первые в мире лабораторные образцы карбидокремниевых диодов на ток 0,5 А, напряжение 350 В, работающие при температуре 500 °С.
Подробное описание основных коммутационных и коммутационно-защитных аппаратов низкого напряжения было приведено выше. Сведения о реле защиты токовых (РТ), напряжения (PH), времени (РВ), промежуточных (РП), указательных (РУ), сигнальных (РИС) приведены в гл. 8. В данной главе приведены сведения об аппаратах и приборах, не упомянутых в гл. 7 и 8. При этом использовались материалы «Номенклатуры электрических аппаратов и приборов, применяемых в низковольтных комплектных устройствах управления электроприводами (НКУ) OЛX. 195.004—80» (см. «Рекомендуемые материалы для проектирования» Тяжпромэлектропроекта, 1981 г., № 5, 6, 7, а также «Инструктивные указания» Тяжпромэлектропроекта, 1983 г., № 4, с. 27—32. Изменение № 1 Номенклатуры). В Номенклатуру включены аппараты и приборы, имеющие широкое применение НКУ для всех отраслей промышленности*.
*Научно-исследовательским институтом релестроения выпущена новая номенклатура ОХЛ. 195.004—89.
